Мощност: 2х45 W при 8 ома
Честотен обхват: 10Hz до 60kHz
ТХИ: 0.03%
Коефициент на затихване: 50
Входна чувствителност: 2.5mV (MM), 150mV (line)
Съотношение сигнал/шум: 82dB (MM), 100dB (line)
Изход: 150mV (line)
Полупроводници: 3 x IC, 27 x транзистора, 18 x диода
Габарити: 420 x 94 x 347мм
Тегло: 6.9кг
Година на призводство: 1979
Произведен в Япония